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飞兆1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性万芳

发布时间:2020-02-14 12:19:51 阅读: 来源:不锈钢螺旋输送机厂家

飞兆1200 V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性

低饱和电压: VCE(SAT) = 1.8 V @ 额定集电极电流(Ic)

高速开关: 低 EOFF = 6.6 J/A

宽SOA(100%电感负载开关测试;ILM = 4倍Ic额定值)

易于并联运行(正温度系数)

Tj = 175°C(最大结温)

高输入阻抗

符合 RoHS 标准

飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术,可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分,而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。

报价:(订购 1,000 个,美元)

FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A: $3.30

FGH25T120SMD_F155 – 1200 V/25 A: $4.65

FGH40T120SMD_F155 – 1200 V/40 A: $6.30

可供货期: 按请求提供样品。

交货期: 收到订单后 8-12 周内

若要取得产品PDF格式的数据页,请访问网页:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH15T120SMD.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH25T120SMD.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH40T120SMD.pdf

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-3250-7688;北京办事处,电话:010-6408-8088 或访问公司网站:http://www.fairchildsemi.com/cn/。

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